Razlika između verzija stranice "Unipolarni tranzistori"
[nepregledana izmjena] | [nepregledana izmjena] |
Uklonjeni sadržaj Dodani sadržaj
No edit summary |
No edit summary |
||
Red 9:
= Princip rada spojnog FET-a (JFET) =
[[Datoteka:
Kod spojnog FETa gate i kanal formiraju PN spoj, koji mora biti inverzno polarisan tako da preko gate-a ne teče struja:
<math>I_G=0</math>
[[Datoteka:JFET P-dep symbol.svg|mini|83x83piksel|Simbol P-kanalnog JFET-a]]
U suprotnom tranzistor bi bio spaljen. U slučaju N-kanalnog tranzistora P-gate se priključuje na -, a N-source na +. Izvor u izlaznom krugu (Udd) treba da pokrene većinske nosioce struje u kanalu da se kreću od source-a prema drain-u. Kod N-kanalnog većinski su nosioci elektroni pa da bi se kretali prema drain-u on mora biti pozitivan. Zato je drain priključen na + pol izvora Udd.
Red 19:
= MOSFET tranzistori =
[[Datoteka:MOSFET Structure.png|mini|Struktura MOSFET tranzistora]]
MOSFET tranzistori imaju slične osobine kao i JFET, ali se razlikuju od njega po konstrukciji i principu rada. Izlaznom strujom MOSFET-a upravlja se pomoću električnog polja izazvanog djelovanjem ulaznog napona, slično kao kod JFET-a. Osnovna razlika između JFET-a i MOSFET-a je u tome što se u ulaznom kolu JFET-a nalazi inverzno polarisan PN spoj, (gejt-kanal), zbog čega je ulazna otpornost velika, dok je kod MOSFET-a ugrađen tanak sloj izolacionog materijala između gate-a i kanala u ulaznom kolu, tako da je ulazna otpornost još veća i dostiže vrijednost do <math>10^{15}</math>Ω. Kod MOSFET-a razlikujemo:
* ''N-kanalni osiromašeni'' MOSFET
|