Razlika između verzija stranice "Poluprovodnik"
| [pregledana izmjena] | [pregledana izmjena] |
Uklonjeni sadržaj Dodani sadržaj
Napravljeno prevođenjem stranice "Semiconductor" |
Napravljeno prevođenjem stranice "Semiconductor" |
||
Red 3:
Električna konduktivnost poluprovodničkog materijala raste sa porastom temperature, što je ponašanje suprotno onom od metala. Poluprovodnički uređaji mogu prikazati opseg različitih osobina kao što je prolazak struje mnogo lakše u jednom pravcu u odnosu na drugi, pokazujući promjenljivi [[Elektricitet|otpor]], i osjetljivost na svjetlost i toplotu. Zbog ovih električnih osobina poluprovodnički materijal može biti modificiran kontroliranim dodavanjem nečistoća, ili primjenom električnog polja ili svjetlosti, uređaji napravljeni od poluprovodnika mogu biti koritešni za amplifikaciju, preklopku i pretvorbu energije.
Kondukcija [[Električna struja|električne struje]] u poluprovodniku pojavljuje se kroz prolaz slobodnih elektrona i "rupa", kolektivno poznatih kao nosioci naboja. Dodavanjem nečistih atoma u poluprovodnički materijal, što je poznato kao "dopingovanje", uveliko povećava broj nosioca naboja unutar njega. Kada dopingovani poluprovodnik sadrži uglavnom slobodne rupe naziva se "p-tip", a kada uveliko sadrži slobodne elektrone poznat je kao "n-tip". Poluprovodnički materijali korišteni u elektronskim uređajima dopinguju se pod specijalnim uvjetima da kontroliraju koncentraciju i regije p- i n-tip dopanta. Jedan poluprovodnički kristal može imati više p- i n-tip regija; p-n raskrsnice između ovih regija su odgovorne za korisno elektroničko ponašanje .
Neke od osobina poluprovodničkih materijala bile su posmatrane kroz sredinu 19. i prve decenije 20. vijeka. Razvoj kvantne fizike zauzvrat dopustio je razvoj [[Tranzistor|tranzistora]] 1947.<ref>{{cite book|last1 = Shockley|first1 = William|title = Electrons and holes in semiconductors : with applications to transistor electronics|date = 1950|publisher = R. E. Krieger Pub. Co|isbn = 0882753827}}</ref> Iako nekolicina čistih elemenata i više spojeva prikazuju osobine poluprovodnika, [[silicij]], [[germanij]], i spojevi [[Galij|galija]] najviše se koriste u eektronskim uređajima. Elementi blizu takozvanih "metaloidnih stepenica", gdje su metaloidi locirani u PSE, često se koriste kao poluprovodnici.
== Reference ==
{{Reflist}}
== Vanjski linkovi ==
* [http://science.howstuffworks.com/diode.htm Howstuffworks' semiconductor page]
* [http://hyperphysics.phy-astr.gsu.edu/hbase/solids/semcn.html Semiconductor Concepts at Hyperphysics]
* Calculator for the [http://www.stevesque.com/calculators/intrinsic-carrier-concentration/ intrinsic carrier concentration] in silicon
* Semiconductor OneSource [http://www.semi1source.com/shof/ Hall of Fame], [http://www.semiconductorglossary.com/ Glossary]
* [http://ece-www.colorado.edu/~bart/book/book/ Principles of Semiconductor Devices] by Bart Van Zeghbroeck, [[University of Colorado at Boulder|University of Colorado]]. An online textbook]
* [http://www.tpub.com/content/neets/14179/index.htm US Navy Electrical Engineering Training Series]
* [http://www.ioffe.rssi.ru/SVA/NSM/Semicond/index.html NSM-Archive] Physical Properties of Semiconductors]
* [http://www.semiconductor-scout.com/manufacturer/semiconductor-manufacturer.html Semiconductor Manufacturer List]
* [http://nanohub.org/topics/EduSemiconductor ABACUS]<span> </span>: Introduction to Semiconductor Devices – by [[Gerhard Klimeck]] and Dragica Vasileska, online learning resource with simulation tools on [[nanoHUB]]
* [http://www.organicsemiconductors.com Organic Semiconductor page]
* [http://www.doitpoms.ac.uk/tlplib/semiconductors/index.php DoITPoMS Teaching and Learning Package- "Introduction to Semiconductors"]
[[Kategorija:Fundamentalni koncepti fizike]]
[[Kategorija:Poluprovodnici]]
| |||